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美光宣布量产第3代10纳米级制程DRAM

作者:小猫芯城 发布时间:2019/8/20 来源:网络整理 浏览量:17 相关关键词: LPDDR4X存储器 DRAM
根据国外科技媒体《Anandtech》的报导指出,日前美系存储器大厂美光科技(Micron)正式宣布,将采用第3代10纳米级制程(1Znm)来生产新一代DRAM。而首批使用1Znm制程来生产的DRAM将会是16GB的DDR4及LPDDR4X存储器。?#28304;耍?#24066;场预估,美光的该项新产品还会在2019年底前,在美光位于中国台湾台中的厂区内建立量产产线。

报导指出,美光指出,与第2代10纳米级(1ynm)制程相比,美光的第3代10纳米级制程(1Znm)DRAM制造技术将使该公司能够提高其DRAM的位元密度,从而增强性能,并且降低功耗。此外,以第3代10纳米级制程所生产新一代DRAM,与同样为16GB DDR4的产品来比较,功耗较第2代10纳米级制程产品低40%。

另外,在16GB LPDDR4X DRAM方面,1Znm制程技术将较1Ynm制程技术的产?#26041;?#30465;高达10%的功率。而且,由于1Znm制程技术提供的位元密度更高,这使得美光可以降低生产成本,未来使得存储器更加便宜。
报导进一步指出,美光本次并没?#22411;?#38706;其16Gb DDR4 DRAM的传输速度为何,但根据市场预计,美光的新一代1Znm制程DRAM存储器将会符合JEDEC制定的官方标准规格。而首批使用美光新一代1Znm制程16GB DDR4存储器?#32435;?#22791;将会是以桌上型电脑、笔记型电脑、工作站的高容量存储器模组为主。

至于,在行动存储器方面,根据美光公布的资料显示,1Znm制程的16GB LPDDR4X存储器的传输速率最高可达4266 MT/s。此外,除了为高端智能手机提供高达16GB(8×16Gb)LPDDR4X的DRAM模组外,美光还将提供基于UFS规格的多存储器模组(uMCP4),其中内含NAND Flash和DRAM。而美光针对主流手机的uMCP4系列产?#26041;?#21253;括64GB+3GB至256GB+8GB(NAND+DRAM)等规格。

虽然美光没?#22411;?#38706;其采用1Znm技术的16GB DDR4和LPDDR4X存储器将会在哪里生产,?#36824;?#24066;场分析师推测,美光其在日本广岛的工厂将会采?#31859;?#26032;的制造技术开始批量生产,而在此同时,也期待2019年底前在台湾台中附近的美光台湾晶圆厂将开?#21152;?#36816;1Znm制程技术?#32435;?#20135;线。


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